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SiB413DK
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
12
3.0
V GS = 5 thr u 3 V
2.4
9
V GS = 2.5 V
1. 8
6
1.2
T J = 25 °C
3
0.6
T J = 125 °C
V GS = 2 V
T J = - 55 °C
0
0.0
0
1
2
3
4
5
0.0
0.6
1.2
1. 8
2.4
0.5
0.4
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
600
500
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
400
0.3
V GS = 2.5 V
300
0.2
200
0.1
0.0
V GS = 4.5 V
100
0
C rss
C oss
0
3
6
9
12
15
0
4
8
12
16
20
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
5
I D = 6.5 A
1. 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
4
3
V DS = 10 V
1.5
1.2
V GS = 4.5 V , I D = 6.5 A
2
1
0
V DS = 16 V
0.9
0.6
0.3
V GS = 2.5 V , I D = 1. 8 A
0
1
2
3
4
5
6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Document Number: 70441
S-80515-Rev. C, 10-Mar-08
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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